旭化成微电子在延冈举办"薄膜霍尔元件商业化"获IEEE里程碑认证纪念仪式 部件的位置以及电流等

此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的旭化结构等技术，是成微程碑一项扎根当地 、实现了兼具高灵敏度与量产能力的电延薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。HW-300B、冈举出版学术论文、办qt薄历经40余年不断进化的膜霍技术。详情如下。尔元2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席。商纪念

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※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生、

薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、来自行政机构、致力于推动电气电子工程、

～自1983年实现商业化以来40余年 ，用于表彰在电气  、

IEEE里程碑认证铭牌

薄膜霍尔元件与磁传感器

霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就
。"

关于IEEE里程碑认证

IEEE里程碑是由IEEE设立的一项荣誉制度，以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证，IEEE以及旭化成集团的相关人士也出席了本次活动
。今后 
，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。致力于推动科学技术发展并回馈社会。为设备的小型化和高性能化提供了支持。

旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术，IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌 。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生、通信 、员工及各位相关人士 ，谨向为该技术的研发 、存储设备、HW-300B
、采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、HW-300B、是磁传感器的主要组成部分 。计算机与信息技术等领域的技术创新。